ATC芯片電容具備很好的高頻響應(yīng)特性，其等效串聯(lián)電感（ESL）極低，自諧振頻率可延伸至數(shù)十GHz，特別適用于5G通信、毫米波雷達(dá)及衛(wèi)星通信系統(tǒng)。該特性有效抑制了高頻信號(hào)傳輸中的相位失真和信號(hào)衰減，確保系統(tǒng)在復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能維持優(yōu)異的信號(hào)完整性，為高級(jí)射頻前端模塊的設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵支持。在溫度穩(wěn)定性方面，采用C0G/NP0介質(zhì)的ATC電容溫度系數(shù)低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內(nèi)，其容值漂移仍遠(yuǎn)低于常規(guī)MLCC，這一特性使其非常適用于航空航天設(shè)備中的溫補(bǔ)電路、汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元及高溫工業(yè)傳感器等場(chǎng)景。寬溫工作能力（-55℃至+250℃）使其適用于航空航天等極端環(huán)境。CDR13BG301CGSM

在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優(yōu)異，即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間，為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)，完全滿足汽車(chē)電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求，廣泛應(yīng)用于ADAS、車(chē)載信息娛樂(lè)和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場(chǎng)景中，ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻，可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌，為激光驅(qū)動(dòng)器、雷達(dá)調(diào)制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲(chǔ)和釋放功能。116RL101M100TT采用端電極銀鈀合金鍍層，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的可焊性同時(shí)有效抑制硫化現(xiàn)象的發(fā)生。

該類(lèi)電容具有較好的抗直流偏壓特性，即使在較高直流電壓疊加情況下，電容值仍保持高度穩(wěn)定。這一性能使其特別適用于電源去耦、DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出濾波及新能源車(chē)電控系統(tǒng)中的直流鏈路電容，有效避免了因電壓波動(dòng)引發(fā)的系統(tǒng)性能退化。憑借半導(dǎo)體級(jí)制造工藝和精密電極成型技術(shù)，ATC芯片電容的容值控制精度極高，公差可達(dá)±0.05pF或±1%（視容值范圍而定）。該特性為高頻匹配網(wǎng)絡(luò)、精密濾波器和參考時(shí)鐘電路提供了可靠的元件基礎(chǔ)。產(chǎn)品系列中包含高耐壓型號(hào)，部分系列可承受2000V以上的直流電壓，適用于X光設(shè)備、激光發(fā)生器、脈沖功率電路等高壓應(yīng)用。其介質(zhì)層均勻性?xún)?yōu)越，絕緣電阻高，在使用過(guò)程中不易發(fā)生擊穿或漏電失效。

在高頻特性方面，AＴＣ的芯片電容表現(xiàn)出色，具有極低的等效串聯(lián)電阻（ＥＳＲ）和等效串聯(lián)電感（ＥＳＬ）。這一特性使得它在高頻范圍內(nèi)損耗極低，能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號(hào)，提供穩(wěn)定可靠的高頻性能。例如，可以射頻功率放大器和微波電路中，這種低ＥＳＲ／ＥＳＬ設(shè)計(jì)明顯降低了熱耗散，提高了電路的整體效率和信號(hào)完整性。同時(shí)，其高自諧振頻率（可達(dá)ＧＨｚ級(jí)別）確保了在高頻應(yīng)用中的可靠性，避免了因自諧振導(dǎo)致的性能下降。絕緣電阻高達(dá)10^4兆歐姆·微法，防止泄漏電流。

部分高溫系列產(chǎn)品采用特殊陶瓷配方，可在200°C以上環(huán)境中長(zhǎng)期工作，適用于地?zé)峥碧皆O(shè)備、航空發(fā)動(dòng)機(jī)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及工業(yè)過(guò)程控制中的高溫電子裝置。其良好的熱傳導(dǎo)性能有助于芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量快速散逸至PCB，避免局部過(guò)熱導(dǎo)致性能退化，提高高功率密度電路的整體可靠性。綜上所述，ATC芯片電容憑借其在頻率特性、溫度穩(wěn)定性、可靠性、功率處理及環(huán)境適應(yīng)性等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，已成為高級(jí)電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可或缺的重點(diǎn)元件。隨著5G通信、自動(dòng)駕駛、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速發(fā)展，其技術(shù)內(nèi)涵和應(yīng)用邊界仍在不斷拓展，持續(xù)為電子創(chuàng)新提供關(guān)鍵基礎(chǔ)支持。損耗角正切值低至0.1%，特別適合高Q值諧振電路和濾波應(yīng)用。116YDA270G100TT

自諧振頻率可達(dá)數(shù)十GHz，適合5G/6G高頻電路設(shè)計(jì)。CDR13BG301CGSM

ATC電容憑借其極低的ESL和ESR，能在極寬的頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲（SSN），確保為芯片重點(diǎn)提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對(duì)于防止系統(tǒng)時(shí)序錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關(guān)重要。ATC芯片電容實(shí)現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過(guò)采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量，其在單位體積內(nèi)存儲(chǔ)的電荷量（電容值）很好提升。然而，與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同，ATC通過(guò)復(fù)雜的材料改性技術(shù)，在獲得高電容密度的同時(shí)，依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設(shè)計(jì)者無(wú)需在“大小”和“性能”之間艱難取舍，為空間受限的高性能應(yīng)用提供了理想解決方案。CDR13BG301CGSM

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