在智能電網和電力監(jiān)控設備中，其高精度和低損耗特性適用于電能質量分析儀的采樣電路和繼電保護裝置的信號調理回路，提高電網監(jiān)測的準確性和可靠性。產品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)，全系列采用無鉛無鹵素材料，滿足全球主要市場對電子產品的環(huán)保要求，支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動環(huán)境下，ATC電容采用抗振動電極設計和堅固的封裝結構，其焊點抗疲勞性能優(yōu)異，適用于無人機飛控系統、機器人關節(jié)控制及發(fā)動機管理系統。其微波系列產品具有精確的模型參數和穩(wěn)定的性能重復性，支持高頻電路的仿真設計與實際性能的高度吻合，縮短研發(fā)周期，提高設計一次成功率。在阻抗匹配網絡中提供精確的容值控制，優(yōu)化功率傳輸。800A8R2BT250XT

其介質材料具有極低的損耗角正切值（DF＜0.1%），明顯降低了高頻應用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率，還能減少系統發(fā)熱，延長電子設備的使用壽命，尤其適合高功率密度基站和長期連續(xù)運行的通信基礎設施。ATC電容采用獨特的陶瓷-金屬復合電極結構和多層共燒工藝，使其具備優(yōu)異的機械強度和抗彎曲性能。在振動強烈或機械應力頻繁的環(huán)境中（如軌道交通控制系統、重型機械電子設備），仍能保持結構完整性和電氣連接的可靠性。700B110JW500XTV通過MIL-STD-883加速度測試，在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。

通過MIL-STD-883HMethod2007機械沖擊測試，采用氣炮加速實驗驗證可承受100,000g加速度沖擊（相當于撞擊的瞬間過載）。實際應用于裝甲車輛火控系統時，在12.7mm機射擊產生的5-2000Hz寬頻振動環(huán)境下，其電極焊接點仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極（Ag-Pd70/30配比）與三維立體堆疊結構，其斷裂韌性值(KIC)達到8MPa·m?/?，是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰(zhàn)地報告顯示，配備ATC電容的"標"反坦克導彈制導系統，在沙漠風暴行動中的戰(zhàn)場故障率為0.2/百萬發(fā)。

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好，其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質的電容溫度系數（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全溫范圍內，容值變化率通常小于±0.5%。同時，其容值隨時間的老化率遵循對數定律，每十年變化小于1%，表現出驚人的長期穩(wěn)定性。此外，其介質材料的直流偏壓特性優(yōu)異，在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規(guī)X7R/X5R類電容，這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關重要。符合RoHS和REACH環(huán)保標準，滿足綠色制造要求。

ATC芯片電容具備很好的高頻響應特性，其等效串聯電感（ESL）極低，自諧振頻率可延伸至數十GHz，特別適用于5G通信、毫米波雷達及衛(wèi)星通信系統。該特性有效抑制了高頻信號傳輸中的相位失真和信號衰減，確保系統在復雜電磁環(huán)境下仍能維持優(yōu)異的信號完整性，為高級射頻前端模塊的設計提供了關鍵支持。在溫度穩(wěn)定性方面，采用C0G/NP0介質的ATC電容溫度系數低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內，其容值漂移仍遠低于常規(guī)MLCC，這一特性使其非常適用于航空航天設備中的溫補電路、汽車發(fā)動機控制單元及高溫工業(yè)傳感器等場景。微波頻段表現很好，適合毫米波通信和雷達系統。116XDB240G100TT

內部采用銅銀復合電極結構，在高溫高濕環(huán)境下仍保持優(yōu)異的導電性和抗遷移能力。800A8R2BT250XT

在汽車電子領域，ＡＴＣ芯片符合ＡＥＣ－Ｑ２００Ｒｅｖ－Ｄ標準，能夠承受汽車環(huán)境的嚴苛要求，如高溫、高濕和振動。其應用于發(fā)動機ＥＣＵ電源濾波、車載信息娛樂系統和ＡＤＡＳ等領域，提供了高可靠性和長壽命。ＡＴＣ芯片電容的抗老化特性優(yōu)異，其容值隨時間變化極?。ㄈ缑渴r老化率低于３％），確保了長期使用中的性能穩(wěn)定性。這一特性在需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎設施應用中尤為重要。其低電介質吸收特性（典型值２％）使得ＡＴＣ芯片電容在采樣保持電路和精密測量設備中表現很好，避免了因電介質吸收導致的測量誤差或信號失真。800A8R2BT250XT

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